Trong một bài báo đăng trên tạp chí Science, giáo sư Gang Chen của Viện Công nghệ Massachusetts – còn được gọi là MIT – và các đồng nghiệp viết rằng một vật liệu được gọi là boron khối arsenide. có thể dẫn nhiệt tốt hơn gấp 10 lần so với silicon thông thường – chất bán dẫn được sử dụng rộng rãi nhất hiện nay.
Theo một bài báo của Chen và các đồng tác giả từ MIT, Đại học Houston và các tổ chức khác của Hoa Kỳ, khả năng dẫn nhiệt phi thường của vật liệu mới khiến nó trở thành một ứng cử viên đầy hứa hẹn cho thế hệ điện tử tiếp theo. theo dõi.
Arsenua bo số lượng lớn là một hợp chất hóa học là sự kết hợp của các nguyên tố hóa học bo và arsenua. Hợp chất này có một cơ chế phù hợp và tối ưu cho các lỗ điện từ và các điện tử để chúng có thể chuyển đổi vị trí nhanh hơn, dẫn đến tính linh động điện cao hơn so với silicon thông thường. Kết hợp với độ nhạy nhiệt thấp, đây được hứa hẹn là siêu vật liệu cho ngành công nghiệp chip trong tương lai.
“Nếu bạn đang chế tạo một thiết bị, bạn muốn một vật liệu mà cả electron và lỗ trống đều di chuyển với ít điện trở hơn”, Giáo sư Chen nói trong một tuyên bố trên trang web của Khoa Cơ khí MIT.
Giáo sư Chen có chuyên môn về công nghệ nano, truyền nhiệt và chuyển đổi năng lượng. Ông đã đưa ra những dự đoán lý thuyết về các đặc tính điện tử độc đáo của arsenide boron số lượng lớn vào năm 2018.
Phòng thí nghiệm của Giáo sư Chen đã tiến hành các thí nghiệm và chứng minh giả thuyết của họ bằng cách sử dụng các mẫu do một nhóm khác từ Đại học Houston chuẩn bị. Nhóm cũng được dẫn dắt bởi một giáo sư gốc Trung Quốc khác, Ren Zhifeng.
Mặc dù vật liệu mới có vẻ là một chất bán dẫn lý tưởng, nhưng Giáo sư Chen cho biết các đặc tính khác của arsenide boron số lượng lớn cần phải được kiểm tra, bao gồm cả tính ổn định lâu dài. Nhóm nghiên cứu cũng hy vọng sẽ tìm ra cách sản xuất và tinh chế nó để một ngày nào đó vật liệu mới có thể thay thế một phần silicon phổ biến trong các ứng dụng công nghiệp.
Giáo sư Gang Chen là giám đốc Phòng thí nghiệm Kỹ thuật Vi mô / Nano Papalardo tại MIT. Ông cũng là thành viên của Viện Hàn lâm Khoa học và Nghệ thuật Hoa Kỳ, và là một nhà nghiên cứu nổi tiếng được Reuters thường xuyên trích dẫn.
Sau khi lấy bằng thạc sĩ và giảng dạy một thời gian ngắn tại Học viện Công nghệ Hoa Trung – nay là Đại học Khoa học và Công nghệ Hoa Trung – ở tỉnh Hồ Bắc, miền Trung Trung Quốc, Chen đã nhận được học bổng từ Quỹ. Viện Giáo dục KCWong ở Hồng Kông (Trung Quốc) để theo đuổi bằng tiến sĩ tại Đại học California Berkeley (Mỹ) vào những năm 1990.
Theo SCMP, tháng 1/2020, Chen bị bắt tại sân bay quốc tế Boston Logan. Một năm sau, các đặc vụ của Cục Điều tra Liên bang Mỹ (FBI) đã đột kích vào nhà của ông ở Cambridge và bắt giữ ông với cáo buộc che giấu mối liên hệ với các thực thể Trung Quốc khi xin tài trợ nghiên cứu. liên bang.
Chính phủ Hoa Kỳ đã bác bỏ mọi cáo buộc chống lại ông vào tháng Giêng do thiếu bằng chứng.
Chen là một trong số hàng chục nhà nghiên cứu – hầu hết là người gốc Trung Quốc – đang bị điều tra theo Chương trình Sáng kiến về Trung Quốc của Bộ Tư pháp Hoa Kỳ. Sáng kiến này được đưa ra vào tháng 11 năm 2018 với mục tiêu chống gián điệp và trộm cắp tài sản trí tuệ.
“Tôi lớn lên ở Trung Quốc và tìm thấy giấc mơ Mỹ của mình tại MIT… Vào tháng 1 năm 2020, giấc mơ đó đã trở thành một cơn ác mộng,” Chen viết trong một bài xã luận trên Science 5 ngày sau trường hợp của mình. bị hủy bỏ do thiếu bằng chứng. “Đầu năm nay, tôi cuối cùng đã được minh oan. Tuy nhiên, tôi đau đớn nhận ra rằng mình là người may mắn nhất trong số những người không may mắn ”.
Chen được cho là đã trở lại phòng thí nghiệm của mình một ngày sau khi các cáo buộc được hủy bỏ. Kể từ đó, ông đã xuất bản các bài báo trên các tạp chí uy tín bao gồm Nature, Science, Nature Communications và Physical Review B.
Ngay cả sau khi Sáng kiến Trung Quốc kết thúc vào tháng Hai, một số nhà khoa học gốc Hoa đã phải hầu tòa và bị kết án vì không tiết lộ mối quan hệ của họ với Bắc Kinh. Trong số này có kỹ sư hóa học Franklin Feng Tao từ Đại học Kansas, Lawrence và nhà toán học ứng dụng Xiao Mingqing từ Đại học Nam Illinois, Carbondale.
